软薄膜“记住”受压过程,MIT用它模拟脑细胞
字号
材料的回弹速度参与计算,仍是器件实验。
一层软薄膜受压后慢慢回弹,这段过程被MIT研究者拿来模拟神经元。
电压让两侧电极靠近,挤压中间的聚合物。过去受过的刺激,会影响之后的电流响应。
器件积累刺激、到阈值后触发响应,再恢复。它把部分计算和记忆功能放进材料本身。
团队展示的是人工神经元器件,离完整类脑计算机还有距离。可穿戴设备是潜在方向。
机构说明日期:MIT,2026年9月16日。
分享这篇文章
你觉得这篇文章怎么样?
匿名评价,无需登录,每篇最多 5 次。
匿名评价
写下你的看法,无需登录。
请围绕科技与文章讨论。禁止仇恨歧视、政治战争话题、威胁辱骂、人身指控、色情、广告、链接及个人信息。
还没有评价,来说第一句吧。